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(1)取下阳极氧化，加去杂水5ml/l，加温60—70度C，气体拌和2钟头。(手头上无牢固去杂剂时不需加)。
(2)有机化学杂质多时，先报名参加3—5ml/lr的30%解决，气拌和3钟头。
(3)将3—5g/l粉状特异性在持续拌和下报名参加，再次气拌和2钟头，关拌和静放4钟头，过虑，一起清缸。
(4)清理维护保养阳极氧化挂回。
(5)用镀了镍的瓦楞纸形不锈钢板作负极，在0.5—0.1安/平方分米的电流强度下开展电解法，直到压型板表面变化为灰白色(类似暗镍颜色)才行，此系统进程约4—12钟头，杂质太多需时更长。电解法时会必需打开气体拌和或负极挪动，以发展解决实际效果。
(6)解析调节各主要参数、报名参加解决理中遗失的一部分防腐剂、湿冷剂，必需时开展霍耳槽试验，及格后就可以试镀。
真空镀膜技术之物理气相沉积技术，它利用某种物理过程，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移过程。物理气相沉积技术具有膜/基结合力好、薄膜均匀致密、薄膜厚度可控性好、应用的靶材广泛、溅射范围宽、可沉积厚膜、可制取成分稳定的合金膜和重复性好等优点。
真空镀膜的均匀性已经相当好，可以轻松将粗糙度控制在可见光波长的1/10范围内，也就是说对于薄膜的光学特性来说，真空镀膜没有障碍。镀的膜并非是想要的膜的化学成分，这也是真空镀膜的技术含量所在。
真空镀膜加工是利用化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体，借助气相作用或基体表面上的化学反应，在基体上制出金属或化合物薄膜的方法，主要包括常压化学气相沉积、低压化学气相沉积和兼有CVD和PVD两者特点的等离子化学气相沉积等。真空镀膜就是置待镀材料和被镀基板于真空室内，采用一定方法加热待镀材料，使之蒸发或升华，并飞行溅射到被镀基板表面凝聚成膜的工艺。
真空镀膜技术的应用时较早的。真空镀膜技术在电子方面开始是用来制造电阻和电容元件，之后随着半导体技术在电机学领域中的应用，又使这一技术成为晶体管制造和集成电路生产的必要工艺手段。
真空镀膜加工原理有不同可分很多种类，因为真空镀膜加工工作环境要要求高真空度而拥有统一名称。所以对于不同原理的真空镀膜加工，影响均匀性的因素也不尽相同。
